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碳化硅怎么去除铁杂质
碳化硅怎么去除铁杂质
2021-03-31T02:03:45+00:00
在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ 百度知道
2016年2月18日 ①首先来讲碳化硅的酸洗。酸洗通常是在加热的条件下，用硫酸对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是为了去除碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质。这样可 2020年2月12日 在碳化硅微粉的生产过程中，除了要去除碳杂质外，铁也是其中必须去除的杂质之一，以下是去除铁杂质的5种方法： 一、化学除铁工艺——酸浸法 碳化硅微粉中 5种碳化硅微粉去除铁杂质的工艺方法水进行2020年2月12日 在碳化硅微粉的生产过程中，除了要去除碳杂质外，铁也是其中必须去除的杂质之一，以下是去除铁杂质的5种方法： 一、化学除铁工艺——酸浸法 碳化硅微粉中 碳化硅微粉去除铁杂质的5种工艺方法找耐火材料网
碳化硅除铁百度文库
通过将含铁碳化硅放入磁场中，可以将铁颗粒从碳化硅中分离出来。 这种方法简单、高效，但对于微小尺寸的铁杂质分离效果不佳。 传统的酸洗法和氧化还原法在处理过程中会 2015年2月24日 给大家介绍了碳化硅微粉中除铁的化学方法。化学方法的优点就是比较彻底干净的处理 碳化硅微粉 中杂质铁元素的方法，但是化学方法处理后的 碳化硅微粉 容易 去除碳化硅微粉中铁杂质的方法2020年4月11日 碳化硅微粉中的铁杂质主要以单质铁及其氧化物化铁的形式存在。因为单质铁及其三氧化铁均溶于硫酸、硝酸、盐酸等，生成可溶性铁盐通过加水洗涤可以去除。碳化硅微粉除铁主要工艺
如何去除绿碳化硅微粉中的杂质 小妙招教给你百度经验
2019年4月17日 化学除铁法： 因为碳化硅具有更好的化学稳定性，较难与其他物质反应，而铁较容易与其他物质反应，我们可以利用这一点去除铁的反应。 碳化硅微粉中的铁主要 摘要： 深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法,涉及高纯硅源/碳源得到的高纯硅和高纯碳高温合成法生产高纯碳化硅的工业化生产技术领域,特别是碳化硅半导体用高纯碳化硅的 深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法 百度学术2015年2月2日 加长冶炼时间，碳化硅晶体中的杂质将随着多次的结晶→分解→再结晶过程，进行多次反复净化、再净化，使碳化硅结晶体增长、再增长，直至长到足够大，形成 怎样去除碳化硅晶体中杂质？ 产品知识 锐石新材料
深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
2019年5月7日 本发明利用hcl气体在一定温度下与影响碳化硅长晶的关键杂质元素硼、铝、铁、钛、钒生成低沸点的氯化物使硼、铝、铁、钛、钒等杂质元素得以深度去除，从而 2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎2023年9月12日 碳化硅是如何制造的？最简单的碳化硅制造方法包括在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常含有铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。加热后，这些晶体会在较 什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？ 知乎
如何除掉碳化硅百度知道
2008年7月30日 首先是碳化硅的酸洗。酸洗通常是在加热的条件下用硫酸对碳化硅颗粒进行处理。其主要目的是为了去除碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质。其次是碳化硅的碱洗。碳化硅的碱洗通常也是在加热碳化硅的过程中，用氢氧化纳对碳化硅颗粒进行处理。2020年2月12日 四、其他除铁工艺 酸浸法和电磁除铁是目前碳化硅微粉行业所普遍采用的除铁方法。 但纵观其它行业却存在着其他的除铁方法、工艺，现列出一部分工艺以对碳化硅微粉除铁工艺提供理论依据。 1、氧化法浸出 氧化除铁法利用强氧化剂 (次氯酸钠、氯气 碳化硅微粉去除铁杂质的5种工艺方法找耐火材料网2020年3月17日 3 结 论 本文采用分子动力学模拟研究在羟基自由基水溶液中借助金刚石磨料抛光的碳化硅原子去除机理，同时研究了羟基自由基水溶液的化学作用和金刚石磨料的机械作用仿真结果表明： 1) 碳化硅表面的Si原子被羟基自由基水溶液氧化形 使用反应分子动力学模拟碳化硅的原子去除机理
太阳能级多晶硅切割废料的酸洗除杂研究 TJU
2021年1月8日 通过超声酸洗能有效地除去CLW中Me杂质，但对nonMe杂质的除去效果还不明显，应结合其它方法深度去除nonMe杂质。 23 CLW的超声酸洗动力学研究 通过以上实验可知，超声酸洗对CLW中金属元素有较好的去除效果，尤其是Fe元素的降低幅度较大，因此可以通过研究盐酸对CLW中铁的去除率来研究CLW超声酸洗 2021年11月30日 此外，最小化生长在碳化硅上的氧化物中的金属杂质至关重要，因为铁、镍和其他金属被认为会降低栅极氧化物(的本征寿命。 因此，监测这些金属的碳化硅加工水平相当于适当的硅技术节点；在这种情况下，用于180纳米节点的ITRS FEP规范预计是足够的。碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理网易网2022年4月7日 引言 碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。 这项工作将100毫米或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压(MCV)绘图 碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法 今日头条 电子
除铁器 知乎
这种技术利用电磁场的作用原理，可以有效地去除铁磁性杂质。 [图片] 首先，电磁除铁器的原理和设计已经相对稳定，并且经过了长期的实践验证。 利用电磁力将铁磁性杂质从物料中分离出来，已经成为工业生产中常见的处理方法，广泛应用于矿石选矿、回收利用、粉体加工等 2021年6月20日 碳化硅硅泥是在粉碎硅晶圆时产生的副产品，通常用于制造太阳能电池和半导体晶圆，并且使用线锯将硅锭切片成晶圆形式。当对硅锭切片时，使用的是包含平均粒径为10 μ m的碳化硅的研磨浆，因此产生了包含硅(主要成分)、碳化硅和其他氧化物的碳化硅硅泥。碳化硅硅泥 知乎2019年4月15日 一提到碳化硅很多人都要竖大拇指了，毕竟我们现在的高精端产业都离不开碳化硅的使用，小到我们使用的二极管，大到我们使用的光伏、航天技术等。因此可以看出碳化硅的应用很强势。可是用过的碳化 碳化硅怎么回收 碳化硅在光伏产业的应用 知乎
碳化硅粉 知乎
2022年9月21日 碳化硅粉 碳化硅粉：制备高质量碳化硅单晶需要杂质含量低、粒径均匀的碳化硅料源，尤其是在制备高纯半绝缘碳化硅或者掺杂半绝缘碳化硅时，对低杂质含量的要求非常高。 事实上，碳化硅料源合成过 2021年12月2日 这也就带来了碳化硅晶体制备的两个难点： （1）生长条件苛刻，对温度和压力的控制要求高。 一般而言，碳化硅气相生长温度在2000℃2500℃之间，压力350MPa，而硅仅需1600℃左右。 高温对设 “拯救”SiC的几大新技术腾讯新闻2020年9月24日 钢中的残余元素问题是冶金工业面临的重要问题之一。在炼钢过程中，炼钢原料(包括铁水、废钢及铁合金等)会将大量杂质元素带入炼钢炉中。其中一部分杂质元素可以去除，但仍有一部分杂质元素将留在钢中，这一部分杂质(非有意添加的合金元素)统称为残余 钢铁中的15种残余元素，看完你就清楚了！炼钢
碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解
2023年10月27日 因此，如何增大气相法制备高纯 SiC 粉体的粒径，提高其生产效率会成为一个全新的研究方向。( 2) 之前的研究已经证明，SiC 粉体的纯度会直接影响到 PVT 法生长单晶的质量。目前，大量研究工作集中在如何减少 SiC 粉体中的杂质。2021年2月25日 碳化硅在常温下，抗氧化性很好，在合成SiC时残留的Si、C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下安全使用，而含有部分杂质的碳化硅，在1220度会发生氧化。抗热震性较好。碳化硅与二氧化硅谁更稳定？熔沸点呢？ 知乎2023年3月21日 碳化硅 是一种化合物，由碳和 硅元素 组成， 化学式 为SiC。 它是一种耐高温、 硬度 高、抗腐蚀、耐磨损的 陶瓷材料 ，也被广泛应用于 电子器件 和 光学器件 中。 作为陶瓷材料 高硬度：碳化硅具有很高的硬度，约为 金刚石 的80%，能够很好地抵抗磨损和 碳化硅是什么材料？ 知乎
怎样去除碳化硅制品中的杂质百度知道
2013年10月21日 想要去除其杂质就要对其进行酸洗，主要步骤有： 首先，碳化硅的酸洗。 酸洗通常是在加热的条件下，用硫酸对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是 为了去掉碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质，这么能够很洁净方便的去掉碳化硅中的杂质; 其次 2020年12月7日 碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以βSiC形式存在；反映温度高于1600℃时，βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成αSiC。 该冶炼制得的SiC若不含有杂质，呈现无色透明晶体状 碳化硅简介 知乎2020年12月7日 碳化硅粉末制备的研究现状 风殇 SiC粉末制作方式可以分为机械粉碎法，液相、气相合成法。 机械粉碎法还包括行星球磨机，砂磨机，气流法等。 液相合成法包含沉淀法，溶胶凝胶法等。 气相合成法包含物理、化学气相合成法等。碳化硅粉末制备的研究现状 知乎
干货废水除硅工艺介绍！处理
2021年8月27日 03 铁盐脱硅 氢氧化铁能够吸附溶解硅，一般认为其最有效的pH值为9，且无定形氢氧化铁比其晶形的吸附效果更佳。去除1 mg二氧化硅需要硫酸铁10～20 mg。在常温时，以铁盐作絮凝剂对含硅水进行处理后，可使水中残余溶解硅含量降至3～5 mg/L。2015年6月23日 碳化硅材料在普通条件下（如大气中1000! 2000C）具有较好的抗氧化性能，这是由于在高温条 件下碳化硅材料表面产生了一层非常薄的、致密的、 结合牢固的SiO2 膜，氧在SiO2 膜中的扩散系数非 常小，因此碳化硅材料的氧化非常缓慢在这种条件 下碳化硅 碳化硅(SiC)基材料的高温氧化和腐蚀 豆丁网2021年6月8日 碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。 特斯拉 作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳 第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 碳化硅（SiC）材料是功率
碳化硅 SiC 知乎
2023年1月2日 单晶生长环境要求高：单晶生长对温度和压力的要求苛刻，一般而言，碳化硅气相生长温度在 2000℃ ~2500℃之间，而传统硅材仅需 1600℃左右，碳化硅单晶对设备和工艺控制带来了极高的要求，温度和压力控制稍有失误，就会导致产品生长失败； 晶型要 2021年2月6日 实际上，因为物理法提纯时，铝是金属杂质中比较难除的一种杂质。因为铝在硅中的分凝系数约在 01 左右，比铁等其它金属要大得多，所以，分凝对铝的作用比较有限。因此，在物理法冶金硅中，铝往往是最后被去除的几种金属杂质之一。[转载]硅中的杂质（二）：金属杂质与深能级xiumuzi新浪 2021年2月25日 碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？ [导读] 通过表面改性，可以改善SiC粉体的分散性、流动性、消除团聚、提高碳化硅超细粉体成型性能以及制品最终性能。 中国粉体网讯 碳化硅是一种人工合成的强共价键型碳化物，是一种新型的工程陶瓷材料。 碳 碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？要闻资讯中国粉体网
硅与碳化硅半导体掺杂工艺的差异？以及产生差异的物理特性
2023年6月26日 碳化硅（SiC）相较于硅（Si）有哪些优势！硅碳化物（SiC）技术已经达到了临界点，即无可否认的优势推动一项技术快速被采用的状态。如今，为了保持竞争力并降低长期系统成本，设计师们出于诸多原因转向SiC基技术，包括以下几点： 降低总拥有成本：SiC基设计虽然需要前期投资，但通过能效、更 2022年4月7日 碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。这项工作将100毫米或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压(MCV)绘图后的痕 碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法 电子发烧友网2018年8月5日 大量的大颗粒夹杂物会严重降低材料韧性，但是具体机制是什么能？应力状态系数？非金属夹杂物是钢中的一类组成物，它们在钢的凝固和冷却过程中形成，并在随后的冷热加工过程中经历一系列的变化。金属材料中，大颗粒夹杂物如何影响材料的韧性? 知乎
碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理 哔哩哔哩
2021年11月29日 此外，最小化生长在碳化硅上的氧化物中的金属杂质至关重要，因为铁、镍和其他金属被认为会降低栅极氧化物(的本征寿命。 因此，监测这些金属的碳化硅加工水平相当于适当的硅技术节点；在这种情况下，用于180纳米节点的ITRS FEP规范预计是足够的。2019年4月5日 3)湿法清洗：使用清洗剂包括浓硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、双氧水、去离子水中的至少一种，清洗温度为20～150℃；清洗过程中可配合超声或兆声波清洗。 4)将清洗干净的碳化硅晶片进行表面杂质的测试，合格的产品进行封装。 按照上述方法对碳 一种碳化硅晶片的清洗方法与流程 X技术网2021年10月13日 石墨中所含的杂质，主要是 钾、钠、镁、钙、铝等的硅酸盐矿物，石墨的提纯工艺，就是采取有效的手段除去这部分杂质。 目前，提纯石墨的方法主要有浮选法、碱酸法、氢氟酸法、氯化焙烧法、高温法等。 01 浮选法 由于石墨表面不易被水浸润，因此具 石墨提纯的方法及优缺点石墨提纯的方法及优缺点杂质
金刚石线切割与砂浆线切割针对碳化硅晶体的优缺点分析 知乎
2021年10月10日 碳化硅材料的莫氏硬度 大约为 925，尤其是高纯碳化硅晶体材料的切割研磨抛光难 度大，使用内圆切割机、单线切割机等传统切割方式已不能 有效提高切割效率。针对碳化硅的多线切割工艺，主要存在金刚石线切割及油砂线切割两种不同的切割方式。2020年4月11日 井东辉等申报的有关碳化硅微粉的除铁装置专利，均是利用一级或者多级磁选设备将碳化硅微粉中的的铁杂质与碳化硅微粉进行分离。电磁除铁除铁效率、自动化程度高，符合工业生产的需求，同时可以避免大量的使用化学品，符合国家的节能、减排政策。碳化硅微粉除铁主要工艺2021年12月1日 由于这些技术非常不同，检查它们的结果如何相互关联是很重要的。在本方法中，我们比较了这些技术在检测过渡金属(铁、镍、铜)和轻金属(铝和钠)时获得的结果。图6报告了作为TOFSIMS数据函数的单位面积铁(a)、镍(b)和铜(c)浓度的TXRF数据。硅片金属污染检测技术比较 知乎
碳化硅晶片表面清洗方法 百度学术
本发明提供了一种碳化硅晶片表面清洗方法,该方法包括以下步骤:高温处理:通过对碳化硅晶片进行高温处理使得所述碳化硅晶片表面形成氧化层;酸化处理:将经过高温处理后的所述碳化硅晶片进行酸化处理,以去除所述碳化硅晶片表面的氧化层;钝化处理:将经过 2019年4月15日 可是用过的碳化硅该怎么处理呢?今天千家信耐材的小编就带大家来看看废旧碳化硅怎么回收?碳化硅在光伏产业的应用有哪些? 碳化硅在光伏产业的应用 为了提倡国家的可持续发展战略思想，光伏太阳能行业在我们的生活中越来越普及，同时大家也逐渐意识到光伏的重要性和长久性。碳化硅怎么回收 碳化硅在光伏产业的应用杂质2019年5月7日 本发明目的是提出一种可深度去除高纯碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，使除杂后的碳化硅纯度达到5～6n的方法。 本发明技术方案是：以hcl气体通入温度为900～1200℃的含杂碳化硅粉体，使含杂碳化硅粉体中的杂质元素与hcl反应生成低沸点 深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
如何测试碳化硅粒度？
2015年12月11日 粒度测试是通过特定的仪器和方法对粉体粒度特性进行表征的一项实验工作。 下面就我具体讲一下关于粒度测试方面的基知识和基本方法。 一、粒度测试的基本知识 1、颗粒：在一尺寸范围内具有特定形状的几何体。 这里所说的一尺寸一般在毫米到纳米之 2021年8月24日 一、碳化硅材料的前世今生11碳（C）和硅（Si）对于了解一些化学知识的人来说，元素周期表就是化学世界的地图。有了这张“地图”，我们就可以根据元素在周期表中的位置判断它的性质，以及它可能参与的化学反应。碳和硅的原子序数分别为6和14，在元素周期表中处于碳族元素的第二和第三周SiC材料应用研究（一） 一、碳化硅材料的前世今生11碳 2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？ 知乎
2023年9月12日 碳化硅是如何制造的？最简单的碳化硅制造方法包括在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常含有铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。加热后，这些晶体会在较 2008年7月30日 首先是碳化硅的酸洗。酸洗通常是在加热的条件下用硫酸对碳化硅颗粒进行处理。其主要目的是为了去除碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质。其次是碳化硅的碱洗。碳化硅的碱洗通常也是在加热碳化硅的过程中，用氢氧化纳对碳化硅颗粒进行处理。如何除掉碳化硅百度知道2020年2月12日 四、其他除铁工艺 酸浸法和电磁除铁是目前碳化硅微粉行业所普遍采用的除铁方法。 但纵观其它行业却存在着其他的除铁方法、工艺，现列出一部分工艺以对碳化硅微粉除铁工艺提供理论依据。 1、氧化法浸出 氧化除铁法利用强氧化剂 (次氯酸钠、氯气 碳化硅微粉去除铁杂质的5种工艺方法找耐火材料网
使用反应分子动力学模拟碳化硅的原子去除机理
2020年3月17日 3 结 论 本文采用分子动力学模拟研究在羟基自由基水溶液中借助金刚石磨料抛光的碳化硅原子去除机理，同时研究了羟基自由基水溶液的化学作用和金刚石磨料的机械作用仿真结果表明： 1) 碳化硅表面的Si原子被羟基自由基水溶液氧化形 2021年1月8日 通过超声酸洗能有效地除去CLW中Me杂质，但对nonMe杂质的除去效果还不明显，应结合其它方法深度去除nonMe杂质。 23 CLW的超声酸洗动力学研究 通过以上实验可知，超声酸洗对CLW中金属元素有较好的去除效果，尤其是Fe元素的降低幅度较大，因此可以通过研究盐酸对CLW中铁的去除率来研究CLW超声酸洗 太阳能级多晶硅切割废料的酸洗除杂研究 TJU2021年11月30日 此外，最小化生长在碳化硅上的氧化物中的金属杂质至关重要，因为铁、镍和其他金属被认为会降低栅极氧化物(的本征寿命。 因此，监测这些金属的碳化硅加工水平相当于适当的硅技术节点；在这种情况下，用于180纳米节点的ITRS FEP规范预计是足够的。碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理网易网
碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法 今日头条 电子
2022年4月7日 引言 碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。 这项工作将100毫米或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压(MCV)绘图 这种技术利用电磁场的作用原理，可以有效地去除铁磁性杂质。 [图片] 首先，电磁除铁器的原理和设计已经相对稳定，并且经过了长期的实践验证。 利用电磁力将铁磁性杂质从物料中分离出来，已经成为工业生产中常见的处理方法，广泛应用于矿石选矿、回收利用、粉体加工等 除铁器 知乎2021年6月20日 碳化硅硅泥是在粉碎硅晶圆时产生的副产品，通常用于制造太阳能电池和半导体晶圆，并且使用线锯将硅锭切片成晶圆形式。当对硅锭切片时，使用的是包含平均粒径为10 μ m的碳化硅的研磨浆，因此产生了包含硅(主要成分)、碳化硅和其他氧化物的碳化硅硅泥。碳化硅硅泥 知乎