当前位置：首页 > 产品中心
大栅的制作方法与成本
大栅的制作方法与成本
2023-12-26T14:12:59+00:00
知乎盐选 41 铅碳电池的制造工艺
由于连续铅带是采用特定的多次连轧工艺制备的，可产生结晶细致的金属结构，与传统浇铸板栅相比具有优良的机械性能和超强的抗腐蚀性能，因此可以采用更薄的板栅取代传统的 大栅的制作方法与成本 叠栅MOSFET的结构设计与特性研究《安徽大学》2010年硕士论文 叠栅MOSFET区别于单栅器件最明显之处是栅结构,这种栅结构的设计必然导致栅电容方 大栅的制作方法与成本2018年9月5日 每个集成电路的成本=每个集成电路的可变成本+ （1）固定成本 固定成本与销售量无关。包括基础设施和生产设备的建设费用；研发费用；人工费用等。（2）可变 第4 章 CMOS集成电路的制造 中国科学技术大学
全包围栅极(GAA)结构将取代FinFET 知乎
2021年3月4日 GAA晶体管终将取代FinFET，其中的纳米薄片也会逐渐发展成纳米线。 而GAA结构应该能够适用于当前已经纳入规划的所有先进工艺节点 。 从最早的平面结构 2020年9月26日 a）金属掩膜法 金属掩膜法是制做长周期光纤光栅最常用的一种方法。 实验中采用的光纤为光敏光纤，PC为偏振控制器，AM为金属振幅掩膜，使用CO2激光器照 光纤光栅的制作方法及未来展望 知乎2015年7月22日 1一种纳米T型栅的制作方法，其特征在于所述方法包括如下步骤： 1)在衬底 (1)的上表面涂覆电子束光刻胶，然后烘干，形成电子束光刻胶层 (2)； 2)在 纳米T型栅的制作方法 CNB 专利顾如 PatentGuru
屏蔽栅功率MOSFET器件及制作工艺方法[发明专利]百度文库
专利内容由知识产权出版社提供 专利名称：屏蔽栅功率MOSFET 器件及制作工艺方法 专利类型：发明专利 发明人：颜树范 申请号：CN18 申请日： 公开 2015年9月30日 展示更多 摘要 基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问 8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 工程 2 天之前 新洁能取得屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法专利，大幅度降低开关损耗 2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，无锡 新洁能 （ ）股份有限公司 新洁能取得屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法专利，大
碳化硅功率器件之五 知乎
2021年11月29日 碳化硅器件可以工作在更高的温度下，在相同功率等级下，其功率模块较硅功率模块在体积上大幅降低，因此对散热的要求就更高。 如果工作时的温度过高，不但会引起器件性能的下降，还会因为不同封装材料的热膨胀系数（CTE）失配以及界面处存在的热 2019年11月13日 本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种栅控PiN二极管及其制造方法。背景技术在集成电路防静电保护设计领域，防静电保护保护设计窗口一般取决于工作电压和内部受保护电路的栅氧化层厚度， 一种栅控PiN二极管及其制造方法与流程 X技术网2020年7月14日 igbt随着结构设计和工艺技术的升级，主流产品已经从平面栅极 (如图1所示)升级成沟槽栅极 (如图2所示)，现有技术中沟槽栅结构的制作方法如图3所示，先在半导体衬底上光刻出沟槽，接着在该沟槽内沉积牺牲氧化层23 (图3a所示)，然后去除该牺牲氧化层23 ( 一种沟槽栅IGBT的制作方法 X技术网
一种异质结光伏电池栅线电极制作方法与流程 X技术网
2021年10月29日 16一种异质结光伏电池栅线电极制作方法，包括在n型衬底硅片的正反两面， 分布非晶硅膜,在非晶硅膜外又沉积一层透明导电金属氧化物膜形成正电极面和 负电极面，在正电极表面和负电极表面上，分布着栅线电极，制作方法如下： 17一、异质结电池主体 2023年12月1日 从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异 （1） 离子注入是最重要的工艺。 硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。 因为 碳硅结合力较强 半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎2021年1月1日 动力铅酸蓄电池的制造工艺流程大致可分为板极制造､电池组装､电池化成 (或活化)与性能检测三部分，如下图所示： （二）板栅制造 板栅是铅酸蓄电池的重要部件,既是集流体,起传导和汇集电流并使电流分布均匀的作用,又是活性物质的骨架,起支撑作用｡ 动力铅酸蓄电池的制造工艺 知乎
沟槽型联栅晶体管及其制作方法与流程 X技术网
2018年6月12日 一种沟槽型联栅晶体管的制作方法，其包括以下步骤： 提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层表面形成P型基区，形成贯穿所述P型基区的多个沟槽，在所述多个沟槽内壁形成P型高掺杂区，在所述P型基区及所述P型高掺杂表面形 2020年1月7日 这是一个较为理想的值，能够保证一定的高宽比，且栅线两侧无毛刺，在减小遮光面积的同时，降低栅线电阻，最终有利于提升电池片转换效率。 从电池片印刷外观来看，断栅较少，平均每片只有2条，且基本无虚印、隐裂等不良印刷情况。从丝网间距、刮条下降深度、印刷速度、印刷压力角度看丝网 2021年6月27日 深度分析光伏电池片金属化及银浆技术 N型电池技术银浆成本显著提升，优化升级金属化迫在眉睫。 金属化是光伏电池片关键工艺之一，主要用于制作光伏电池电极，将PN结两端形成欧姆接触，实现电流输出。 金属化工艺对于电池的可靠性、成本、转化效 深度分析光伏电池片金属化及银浆技术印刷
屏蔽栅沟槽型场效应管的制作方法及其器件与流程 X技术网
2022年1月7日 8本发明的技术方案为：屏蔽栅沟槽场效应管的制作方法 ，先初步设计场板，然后通过设计注入掺杂精调电场，最后根据精调完成的场板及掺杂结构进行实际屏蔽栅沟槽场效应管制作；其中初步设计的场板为上大下小的阶梯型，注入掺杂包括侧壁 光纤光栅是一种通过一定方法使光纤纤芯的折射率发生轴向周期性调制而形成的衍射光栅，是一种无源滤波器件。由于光栅光纤具有体积小、熔接损耗小、全兼容于光纤、能埋入智能材料等优点，并且其谐振波长对温度、 光纤光栅百度百科大栅的制作方法与成本 2017年5月10日大栅的制作方法与成本 一种平面栅igbt的制作方法 X 技术 一种平面栅igbt的制作方法 技术领域】 [0001]本实用新型涉及一种功率半导体器件，具体讲涉及 2017年9月16 日用低相干光源和相位掩膜版来制作光纤光栅的这种方法 大栅的制作方法与成本
人才库中国科学院金属研究所 CAS
图 2、大面积柔性和透明全碳纳米管集成电路 （Advanced Science 5, , 2018） （3）提出一种基于铝纳米晶浮栅的碳纳米管非易失性存储器，首次实现了光学图像传感与图像存储一体化的碳基器件，为新型柔性光检测与存储器件的研制奠定了基础。2020年7月17日 本实用新型的目的包括，例如，提供了一种ct滤线栅和ct设备，其能够提供结构稳定、精度较高的滤线栅，同时提高对散射线的吸收率，进一步提高最终的成像质量。 本实用新型的实施例可以这样实现： 方面，本实用新型实施例提供一种ct滤线栅，其用 CT滤线栅和CT设备的制作方法 X技术网2020年7月17日 本实施提供一种ct滤线栅400，其与实施例1的ct滤线栅300大致相同，不同之处在于，本实施例中的过滤薄片(401、402、403等)的过滤孔的内壁为平直设置； 且接近焦点的过滤孔的开口小，远离焦点的开口大，并且距离焦点越远过滤孔的开口越大；CT滤线栅和CT设备的制作方法 X技术网
一种大跨度的单排悬挂式拦鱼电栅的制作方法 X技术网
2022年7月6日 一种大跨度的单排悬挂式拦鱼电栅的制作方法 1本技术涉及水利和鱼类保护领域，具体涉及一种大跨度的单排悬挂式拦鱼电栅。 2在水利工程、鱼类保护和渔业养殖中，为了防止鱼类穿过某些区域，常常用到拦鱼电栅。 拦鱼电栅是通过在水中布设一系列电极 2023年12月5日 4根据权利要求2所述的一种铅蓄电池板栅的制作方法，其特征是，所述塑胶框架由厚度不大于1毫米的PVC片材冲切出过液孔构成。5根据权利要求4所述的一种铅蓄电池板栅的制作方法，其特征是，所述塑胶框架在宽度方向包括至少一个所述过液孔。一种铅蓄电池板栅的制作方法 豆丁网2020年4月29日 4、曝光前需静台两，曝光过程中应保证全息防震台稳定，室内空气平稳，无大的 气流运动；5、银盐干板应严格避光操作，待定影结束后才可见白光。【数据处理】 用几何光学和物理光学方法测出自制全息光栅的空间频率v ，并与设计值比较之。全息平面光栅的制作及其参数测定 Nanchang University
前门大栅（shí）栏，这个独特的名字从何而来？ 知乎
2020年2月15日 就这么说下去，说了恐怕几十年，也传了几十年，由明朝到了清朝，讹传“大珊栏”加上了老北京习惯的儿化音，就约定俗成叫大栅（shí）栏了。 发布于 01:21 文化 现在有些老北京文化已经濒临灭绝，甚至比大熊猫还濒危，老北京文化的传承是 2022年9月3日 一种整体式栅条犁壁的制作方法 1本实用新型涉及一种栅条犁，尤其涉及一种栅条犁的犁壁结构，属于农业装备设计制造技术领域。 2栅条犁是将犁的犁壁设计成栅条形式，以减少犁壁与土伐的接触面积，从而减少犁壁与土壤的粘结几率，实现翻转土伐阻力小 一种整体式栅条犁壁的制作方法 X技术网2022年12月9日 11 成本是制约高效电池产业化发展的重要因素，降银是光伏电池降本的关键 成本是阻碍异质结等高效电池产业化发展的重要因素，其中金属化浆料成本在非硅成本中占比最高，降低银浆成本势在必行 。 根据CPIA数据，2021年P型电池正银、背银消耗量分别 2022光伏设备行业报告：金属化降银探索不停，无主栅技术
2022光伏设备行业报告：金属化降银探索不停，无主栅技术
2022年12月9日 11 成本是制约高效电池产业化发展的重要因素，降银是光伏电池降本的关键 成本是阻碍异质结等高效电池产业化发展的重要因素，其中金属化浆料成本在非硅成本中占比最高，降低银浆成本势在必行 。 根据CPIA数据，2021年P型电池正银、背银消耗量分别 2021年3月26日 个读音与第二、三读音相差很多。从声母上来看，“大栅栏”的“栅”应该来源于个读音，由shàn弱化成了shi。北京话三音节词的中间音节往往会弱化，有时吞掉声母，有时吞掉韵母，尤其在快读的时候。“大栅栏”的“栅”应该怎么读？（汉字里的故事） 中国能源报2019年8月5日 间距大，木搁栅的跨度大，断面尺寸相应的也要大些。木搁栅铺筑时，要进行找平。木搁栅安装要牢固，并保持平直在木搁栅之间好要设置剪刀撑，设置剪刀撑主要是增加木搁栅的侧向稳定性，将一根根单独的格栅连成一体，增加了木铺地园路的刚度。园林铺地及园路的施工技术 知乎
一种曲面随机金属网栅的制作方法与流程
2023年3月17日 7一种曲面随机金属网栅的制作方法，包括以下步骤： 8s1，在曲面基底表面上镀制金属膜，其中所述金属膜自所述曲面基底依次为钛膜和铜膜； 9s2，采用飞秒激光在上述镀有钛膜和铜膜的曲面基底聚焦，在所述钛膜和铜膜上按照预设的随机图案进行至少两 2020年3月24日 本发明还提供一种可变安装角的平面叶栅实验装置的实验方法，包括以下步骤： 步骤1，将各个测压叶片和非测压叶片装配到上栅板 (4)和下栅板 (5)之间；其中，测压叶片和非测压叶片的上阶梯轴 (8)与上栅板 (4)的上阶梯孔 (41)配合安装，测压叶片和非测压叶 可变安装角的平面叶栅实验装置以及实验方法与流程2023年2月20日 电镀铜工艺降本增效实力强劲，设备成本仍有突破空间。 电镀铜金属化环节成本主要 包括设备成本、掩膜成本（假设为低成本湿膜路线）、添加剂成本和其他成本。 根据目前 电镀铜产业化进度，我们假设应用于 HJT 电池片的电镀铜前道设备 6000 万 光伏电池行业专题：新型金属化助力降本增效，无银时代曙光
SGT的屏蔽栅的制作方法与流程 X技术网
2022年3月2日 1一种sgt的屏蔽栅的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、制作形成场氧化层；s2、淀积多晶硅层；s3、对所述多晶硅层的表面进行湿法清洗；s4、在所述多晶硅层的表面涂布光刻胶；s5、对所述多晶硅层和所述光刻胶进行等比例回刻；s6、刻蚀去除晶 2015年9月30日 摘要 基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题，实现了高 8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 工程 2022年12月10日 12本发明还包括一种基于finjfet栅结构的hemt的制作方法，包括以下步骤： 13s1”：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层；其中，缓冲层为1μm3μm；沟道层厚300nm；势垒层为10nm15nm。 14s2”：在势垒层上生长pgan层；具体地，在势垒层上生长一层掺杂mg的gan 基于FinJFET栅结构HEMT及其制作方法与流程 X技术网
光伏电池片金属化技术进展 （2） 1、N型电池技术
2022年9月20日 电池金属化是光伏电池片制作工艺过程中的重要环节之一，通过导电浆料印刷和和烧结，在硅片的正背面制备金属化电极，使电极与电池片间形成紧密高效的欧姆接触，将光生载流子导出电池。 金属化关 2021年2月25日 时栅主要用于三大领域，计量检定、制造业以及国防军工。但国外这种技术是不卖的，对中国封锁。2004年，彭东林牵头完成的“时空坐标转换方法与时栅位移传感器”项目，达到进口光栅的精度水平。在此基础上，刘小康进一步提出用电场去测量位移。担当作为好干部刘小康：发明纳米时栅传感技术 解决高端装备 2017年5月10日 大栅的制作方法与成本 一种平面栅igbt的制作方法 X 技术 一种平面栅igbt的制作方法 【技术领域】 [0001]本实用新型涉及一种功率半导体器件，具体讲涉及一种平面栅IGBT。【背景技术】 [0002]绝缘栅双极晶体管(InsulateGateBipolar Transistor一IGBT)综合了 大栅的制作方法与成本
纳米线栅偏光片的制作方法与流程 X技术网
一种纳米线栅偏光片的制作方法，包括步骤： s1、在衬底上依次叠层制作线栅材料层、第二线栅材料层和第三线栅材料层； s2、采用纳米压印技术在所述第三线栅材料层上制作纳米光阻阵列； s3、采用干刻蚀法刻蚀未被所述纳米光阻阵列遮挡的第三线栅 2021年3月29日 1、结构特点： 毛细管辐射空调 是集分水式结构，具有换热面积大、壁薄导热性好、换热均匀、 水力损失 小的特点，决定了毛细管网是一种高效的 换热器 。 “ 面大壁薄” 是毛细管网用于热交换的核心优点。 2、材料特点： 制作毛细管辐射空调的原料是 什么是毛细管网辐射空调？ 知乎2023年7月25日 在光伏降本的大背景下，金属化环节成为降本的重心，去银化一直是光伏行业提效降本的必经之路。 N型较P型电池耗银量增加，低温银浆价格又显著高于高温银浆。电镀铜或将是去银化的终极路线，预计2024年初可形成量产。光伏降本增效路径：电镀铜技术深度剖析 知乎
沟槽栅的制造方法与流程 X技术网
2022年3月26日 沟槽栅的制造方法与流程 1本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种沟槽栅的制造方法。 2mos晶体管中，栅结构包括栅氧化层和形成于栅氧化层表面的多晶硅栅，多晶硅栅通常覆盖沟道区并用于在沟道区表面形成连接源漏的沟道，为了提 2016年10月18日 西安电子科技大学硕士学位论文高k栅介质MOS器件栅极泄漏电流的分析与建模姓名：****学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：**侠摘要摘要在45nmCMOS工艺进入商业化生产的今天，为避免超薄栅介质的引入所导致的栅极漏电流影响器件的可靠 高k栅介质mos器件栅极泄漏电流的分析与建模 豆丁网2021年11月29日 碳化硅器件可以工作在更高的温度下，在相同功率等级下，其功率模块较硅功率模块在体积上大幅降低，因此对散热的要求就更高。 如果工作时的温度过高，不但会引起器件性能的下降，还会因为不同封装材料的热膨胀系数（CTE）失配以及界面处存在的热 碳化硅功率器件之五 知乎
一种栅控PiN二极管及其制造方法与流程 X技术网
2019年11月13日 本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种栅控PiN二极管及其制造方法。背景技术在集成电路防静电保护设计领域，防静电保护保护设计窗口一般取决于工作电压和内部受保护电路的栅氧化层厚度， 2020年7月14日 igbt随着结构设计和工艺技术的升级，主流产品已经从平面栅极 (如图1所示)升级成沟槽栅极 (如图2所示)，现有技术中沟槽栅结构的制作方法如图3所示，先在半导体衬底上光刻出沟槽，接着在该沟槽内沉积牺牲氧化层23 (图3a所示)，然后去除该牺牲氧化层23 ( 一种沟槽栅IGBT的制作方法 X技术网2021年10月29日 16一种异质结光伏电池栅线电极制作方法，包括在n型衬底硅片的正反两面， 分布非晶硅膜,在非晶硅膜外又沉积一层透明导电金属氧化物膜形成正电极面和 负电极面，在正电极表面和负电极表面上，分布着栅线电极，制作方法如下： 17一、异质结电池主体 一种异质结光伏电池栅线电极制作方法与流程 X技术网
半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎
2023年12月1日 从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异 （1） 离子注入是最重要的工艺。 硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。 因为 碳硅结合力较强 2021年1月1日 动力铅酸蓄电池的制造工艺流程大致可分为板极制造､电池组装､电池化成 (或活化)与性能检测三部分，如下图所示： （二）板栅制造 板栅是铅酸蓄电池的重要部件,既是集流体,起传导和汇集电流并使电流分布均匀的作用,又是活性物质的骨架,起支撑作用｡ 动力铅酸蓄电池的制造工艺 知乎2018年6月12日 一种沟槽型联栅晶体管的制作方法，其包括以下步骤： 提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层表面形成P型基区，形成贯穿所述P型基区的多个沟槽，在所述多个沟槽内壁形成P型高掺杂区，在所述P型基区及所述P型高掺杂表面形 沟槽型联栅晶体管及其制作方法与流程 X技术网
从丝网间距、刮条下降深度、印刷速度、印刷压力角度看丝网
2020年1月7日 这是一个较为理想的值，能够保证一定的高宽比，且栅线两侧无毛刺，在减小遮光面积的同时，降低栅线电阻，最终有利于提升电池片转换效率。 从电池片印刷外观来看，断栅较少，平均每片只有2条，且基本无虚印、隐裂等不良印刷情况。2021年6月27日 深度分析光伏电池片金属化及银浆技术 N型电池技术银浆成本显著提升，优化升级金属化迫在眉睫。 金属化是光伏电池片关键工艺之一，主要用于制作光伏电池电极，将PN结两端形成欧姆接触，实现电流输出。 金属化工艺对于电池的可靠性、成本、转化效 深度分析光伏电池片金属化及银浆技术印刷2022年1月7日 8本发明的技术方案为：屏蔽栅沟槽场效应管的制作方法 ，先初步设计场板，然后通过设计注入掺杂精调电场，最后根据精调完成的场板及掺杂结构进行实际屏蔽栅沟槽场效应管制作；其中初步设计的场板为上大下小的阶梯型，注入掺杂包括侧壁 屏蔽栅沟槽型场效应管的制作方法及其器件与流程 X技术网